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Étude des classes de fonctionnement à haut rendement pour l'amplification de puissance en hyperfréquence en utilisant la technologie HEMT à base de nitrure de gallium

Étude des classes de fonctionnement à haut rendement pour l'amplification de puissance en hyperfréquence en utilisant la technologie HEMT à base de nitrure de gallium Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2012
auteur : Dufraisse Jérémy
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce rapport traite de l'étude de classes de fonctionnement pour améliorer le ren-dement en puissance d'amplificateurs à base de HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN fonctionnant autour de 2 GHz. L'analyse des caractéristiques électriques des HEMT à base de GaN présente l'impact de plaques de champ et de la di ...
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Conception, modélisation et caractérisation de cellules de puissance innovantes en technologie MMIC pour des applications spatiales

Conception, modélisation et caractérisation de cellules de puissance innovantes en technologie MMIC pour des applications spatiales Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2012
auteur : Déchansiaud Adeline
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce document montre comment améliorer la compacité des amplificateurs de puissance en bande Ku utilisés dans les systémes VSAT en proposant une nouvelle topologie de cellule de puissance élémentaire appelée ≪ cascode intégré ≫. La cellule active est constituée de deux transistors MMIC fabriqués avec ...
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Caractérisation et modélisation de transistors HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN pour l'amplification de puissance en radio-fréquences

Caractérisation et modélisation de transistors HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN pour l'amplification de puissance en radio-fréquences Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : Callet Guillaume
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce document traite de la caractérisation de composants HEMT à base de GaN en vue de leur modélisation. Une caractérisation exhaustive des transistors à base d'InalN/GaN et AlGaN/GaN est réalisée. Une importance particulière est donnée aux méthodes de caractérisation thermique, avec l'utilisation de ...
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Analyse des effets dispersifs dans les transistors radiofréquences par mesures électriques

Analyse des effets dispersifs dans les transistors radiofréquences par mesures électriques Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : El Rafei Abdelkader
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les amplificateurs de puissance (PA) sont des éléments clés des terminaux de télécommunications et de radar aux radios fréquences. Le potentiel des PA est limité par des phénomènes de dispersion. Dans ce contexte, nous intéressons à la caractérisation des phénomènes thermiques dans les transistors T ...
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Caractérisation avancée et nouvelles méthodologies de modélisation des technologies GaN pour la conception d'amplificateurs de puissance large bande et haut rendement aux fréquences RF et microondes

Caractérisation avancée et nouvelles méthodologies de modélisation des technologies GaN pour la conception d'amplificateurs de puissance large bande et haut rendement aux fréquences RF et microondes Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : Demenitroux Wilfried
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Haut rendement, forte linéarité et large bande de fonctionnement sont les points clés de la conception d'amplificateur de puissance d'aujourd'hui. De plus, de nombreux amplificateurs de puissance sont développés en technologie hybride utilisant des transistors en boîtier, rajoutant une difficulté su ...
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Potentialités des transistors HEMTs AlGaN-GaN pour l'amplification large bande de fréquence : Effets limitatifs et modélisation

Potentialités des transistors HEMTs AlGaN-GaN pour l'amplification large bande de fréquence : Effets limitatifs et modélisation Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : Mouginot Guillaume
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Aujourd'hui, la conception de circuits intégrés de puissance hautes fréquences large bande est devenue un enjeu majeur pour les systèmes modernes de défense. Nous proposons dans ce manuscrit une étude du transistor HEMT GaN afin de mettre en évidence son intérêt pour ces applications. Une conception ...
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Optimisation du rendement d'amplificateurs de puissance sous contraintes de linéarité en présence de modulations numériques complexes

Optimisation du rendement d'amplificateurs de puissance sous contraintes de linéarité en présence de modulations numériques complexes Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2008
auteur : Bacqué Ludovic
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Dans un souci de réduction de la consommation des équipements de télécommunications, les concepteurs de systèmes et de sous ensembles recherchent des solutions innovantes. Pour les modules d'émission, une grande partie de cette consommation est issue des cellules amplificatrices. Dans la littérature ...
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Modélisation comportementale d'amplificateurs de puissance pour les applications radars

Modélisation comportementale d'amplificateurs de puissance pour les applications radars Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2008
auteur : Estagerie François-Xavier
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce travail de thèse concerne la modélisation comportementale d'amplificateurs de puissance. Le formalisme choisi, les paramètres S fort-signal, offre à la fois une représentation efficace pour des variations importantes de l'impédance de charge et une procédure d'extraction simple et rapide à mettre ...
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Contribution à la modélisation des transistors pour l'amplification de puissance aux fréquences microondes : développement d'un nouveau modèle électrothermique de HEMT AlGaN/GaN incluant les effets de pièges

Contribution à la modélisation des transistors pour l'amplification de puissance aux fréquences microondes : développement d'un nouveau modèle électrothermique de HEMT AlGaN/GaN incluant les effets de pièges Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2008
auteur : Jardel Olivier
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce document traîte de la modélisation de transistors de puissance microondes TBH InGaP/AsGa et HEMTs AlGaN/GaN pour des applications en bande X. Les HEMTs AlGaN/GaN ont été commercialisés récemment et il y a par conséquent un besoin de modèles précis permettant de décrire leurs caractéristiques élec ...
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Contribution à la modélisation non-linéaire de transistors de puissance HEMT pseudomorphiques sur substrat AsGa : analyse des effets parasites

Contribution à la modélisation non-linéaire de transistors de puissance HEMT pseudomorphiques sur substrat AsGa : analyse des effets parasites Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2008
auteur : Teyssandier Charles
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Le principal objectif de ce travail est la modélisation précise d'une filière de transistor PHEMTs fabriquées à UMS. Notre modèle se base sur une démarche de caractérisation complète et il est facilement intégrable dans les simulateurs de circuit CAO afin de le rendre utilisable dans un contexte ind ...
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