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Mesures de formes d'ondes temporelles en impulsions : application à la caractérisation de transistors micro-ondes de forte puissance

Mesures de formes d'ondes temporelles en impulsions : application à la caractérisation de transistors micro-ondes de forte puissance Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2007
auteur : De Groote Fabien
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux traitent de la mesure de formes d'ondes temporelles en mode continu et en impulsions, avec comme application la caractérisation des transistors de puissance aux fréquences micro-ondes. Un banc de mesure a été développé autour du Large Signal Network Analyser. Une caractéristique importan ...
???menu.result.tef.distinction??? : Prix de l'Entrepreneuriat Jean-Claude Cassaing - 2008
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Modélisation électrothermique comportementale dynamique d'amplificateurs de puissance microondes pour les applications radars

Modélisation électrothermique comportementale dynamique d'amplificateurs de puissance microondes pour les applications radars Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2007
auteur : Mazeau Julie
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : La génération de forte densité de puissance microonde au sein des amplificateurs de puissance exige la prédiction de la distorsion des signaux induite par les effets d'autoéchauffement. Dans ce cadre, un nouveau modèle électrothermique comportemental d'amplificateurs de puissance a été développé pou ...
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Analyse des phénomènes physiques dans les diodes p-i-n : contribution à la modélisation électrothermique pour les applications de puissance RF et hyperfréquences

Analyse des phénomènes physiques dans les diodes p-i-n : contribution à la modélisation électrothermique pour les applications de puissance RF et hyperfréquences Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : Gatard Emmanuel
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les diodes p-i-n sont largement utilisées dans les applications RF et hyperfréquences telles que les déphaseurs, commutateurs, atténuateurs et limiteurs. L'évaluation précise des grandeurs électriques aux accès du composant, l'étude de la fiabilité et des effets thermiques passent aujourd'hui par le ...
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Optimisation des potentialités d'un transistor LDMOS pour l'intégration d'amplificateur de puissance RF sur silicium

Optimisation des potentialités d'un transistor LDMOS pour l'intégration d'amplificateur de puissance RF sur silicium Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : Muller Dorothée
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les amplificateurs de puissance RF réalisés à partir de composants issus des technologies III-V sont actuellement les plus performants du fait de leurs propriétés physique intrinsèques. Malgré cela ces technologies ne répondent pas complètement aux exigences du marché de la radiotéléphonie mobile en ...
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Modélisation de fonctions élémentaires d'une chaîne radio pour des liaisons haut débit

Modélisation de fonctions élémentaires d'une chaîne radio pour des liaisons haut débit Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : Le Brun Aymeric
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce mémoire est consacré à la mise en place d'outils de simulation performants, dédiés aux liaisons radio haut débit dans la bande Ku, à l'aide d'un créateur de modèles fonctionnant dans un simulateur commercial. Ces travaux sont le fruit d'une collaboration entre l'Université de Limoges et la sociét ...
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Développement de modèles de CAO pour la simulation système des systèmes de communication : application aux communications chaotiques

Développement de modèles de CAO pour la simulation système des systèmes de communication : application aux communications chaotiques Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : Layec Alan
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Cette thèse concerne la modélisation et la simulation de chaînes de communication dans un environnement de simulation système. Une première partie détaille les modèles de CAO d'éléments constituant les chaînes de transmission numériques ainsi que des principes de simulation permettant l'évaluation d ...
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Caractérisation et modélisation électrothermique non linéaire de transistors à effet de champ GaN pour l'amplification de puissance micro-onde

Caractérisation et modélisation électrothermique non linéaire de transistors à effet de champ GaN pour l'amplification de puissance micro-onde Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2005
auteur : Charbonniaud Christophe
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : L'objectif de cette étude est d'évaluer les potentialités des transistors HEMTs AlGaN/GaN pour l'amplification de puissance aux fréquences micro-ondes, à l'aide d'un banc de mesures I(V) et paramètres [S] en régime impulsionnel, et de proposer un modèle précis de ce type de transistors facilement im ...
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Etude d'une nouvelle filière de composants HEMTs sur technologie nitrure de gallium : conception d'une architecture flip-chip d'amplificateur distribué de puissance à très large bande

Etude d'une nouvelle filière de composants HEMTs sur technologie nitrure de gallium : conception d'une architecture flip-chip d'amplificateur distribué de puissance à très large bande Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2005
auteur : Meyer Sandra de
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux se rapportent à l'étude de transistors HEMTs GaN pour l'amplification de puissance hyperfréquence. L'analyse des caractéristiques des matériaux grand gap, et plus précisément du GaN, est réalisée afin de mettre en évidence leur intérêt pour des applications d'amplification de puissance l ...
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Modélisation electrothermique non linéaire de transistors de puissance LDMOS : Application à la détermination de règles d'échelle

Modélisation electrothermique non linéaire de transistors de puissance LDMOS : Application à la détermination de règles d'échelle Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2005
auteur : Guyonnet Mickaël
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : L'accroissement du marché des télécommunications demande des amplificateurs de puissance pour station de base à bas coût, linéaire et possédant un rendement élevé. Les puissances requises pour ces amplificateurs peuvent dépasser les 120 W pour une tension d'alimentation inférieure à 30Y. La technolo ...
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Plate-forme SCILAB de simulation intégrée circuits/composants

Plate-forme SCILAB de simulation intégrée circuits/composants Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2005
auteur : Riah Zoheir
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Le travail présenté dans ce mémoire concerne le développement d'une plate-forme de simulation globale développée autour de l'environnement Scilab intégrant un modèle physique de transistor bipolaire à hétérojonction et la simulation circuit. Le premier chapitre présente les différents types de simul ...
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