Aurore | Thèses de doctorat > Par directeur de thèse

Attention : l'accès aux ressources peut être restreint, soit pour des raisons juridiques, soit par la volonté de l'auteur.

Développement d’un banc de mesure par thermoreflectance pour les composants de puissance

2022

Jakani Anass

XLIM

Sciences de l'ingénieur

La forte demande de l'industrie électronique en termes de niveaux de puissance et de fréquences élevées a fortement encouragé le développement de la technologie des transistors HEMT en nitrure de gallium (GaN). Cependant, malgré les efforts accomplis sur d’optimisation thermique de ces composants pa ...

Ajouter à mon panier

Accéder au document

https://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/c547af52-96fb-48bc-bba6-c52340dfaf75/blobholder:0/2022LIMO0125.pdf Attention, le lien semble brisé
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03951854 Attention, le lien semble brisé

Approche duale de modélisation TCAD et de caractérisations électriques approfondies pour la détermination de la signature et de la localisation des pièges dans les HEMT GaN sur substrat SiC

2020

Bouslama Mohamed

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Les HEMT à base du GaN ont déjà démontré leur potentialité pour toutes les applications forte puissance et haute fréquence. Cependant, cette technologie souffre de limitations dues notamment à un mécanisme complexe de piégeage/dépiégeage de charges qui se produit dans le composant et reste encore au ...

Ajouter à mon panier

Accéder au document

http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/3066f1df-533f-4a81-9a1f-52fb31ae749c/blobholder:0/2020LIMO0076.pdf Attention, le lien semble brisé
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03149025 Attention, le lien semble brisé

Physics-based TCAD device simulations and measurements of GaN HEMT technology for RF power amplifier applications

2017

Subramani Nandha kumar

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Depuis plusieurs années, la technologie de transistors à effet de champ à haute mobilité (HEMT) sur Nitrure de Gallium (GaN) a démontré un potentiel très important pour la montée en puissance et en fréquence des dispositifs. Malheureusement, la présence des effets parasites dégrade les performances ...

Ajouter à mon panier

Accéder au document

http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/39abf25b-6d12-4ebc-b566-3c4019ce6e0d/blobholder:0/2017LIMO0084.pdf Attention, le lien semble brisé
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01702325 Attention, le lien semble brisé

Caractérisation basse fréquence et simulation physique de transistors bipolaires hétérojonction en vue de l'analyse du bruit GR assisté par pièges

2016

Al Hajjar Ahmad

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce travail présente le développement d’un banc de mesure thermique, pour la mesure : de réseaux I (V), d’impédance basse fréquence et de bruit basse fréquence des composants semi-conducteurs. Le banc de mesure de bruit BF est composé d’un amplificateur de tension faible bruit, d’un amplificateur tra ...

Ajouter à mon panier

Accéder au document

http://aurore.unilim.fr/theses/nxfile/default/15913b0b-758c-49ef-9014-da0d0678da56/blobholder:0/2016LIMO0045.pdf Attention, le lien semble brisé
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01376182 Attention, le lien semble brisé

Simulation physique du bruit basse fréquence stationnaire, dans les composants semi-conducteurs

2012

Abdel Hadi Khaled

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce mémoire est consacré à la conception des deux méthodologies générales et robustes de simulation du bruit de génération-recombinaison assisté par piège dans des composants semi-conducteurs « réels ». Ce mémoire commence par des rappels sur les origines de bruit BF. Une présentation globale des mét ...

Ajouter à mon panier

Accéder au document

Conception d'un circuit oscillateur MMIC à 2 OCT commutés large bande à faible bruit de phase pour applications spatiales

2011

Chamaa Nazem

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce mémoire est consacré à la conception d'un circuit OCT MMIC à large bande d'accord et à faible bruit de phase utilisant un TBH InGaP/GaAs pour les applications spatiales. Le premier chapitre décrit le modèle non linéaire du transistor utilisé pour la conception du circuit et les mesures effectuées ...

Ajouter à mon panier

Accéder au document

Etude et réalisation d'un oscillateur bande X, contrôlé en tension, à varactor MEMS, pour application spatiale

2009

Dupouy Emmanuel

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Ce mémoire est consacré à l'étude et à la réalisation d'un oscillateur contrôlé en tension (OCT) à 10 GHz. Ce travail permet d'étudier la faisabilité d'un OCT utilisant des varactors MEMS pour accorder la fréquence d'oscillation. Le premier chapitre de ce mémoire montre les méthodes d'analyse de l'o ...

Ajouter à mon panier

Accéder au document

Simulation en bruit et conception d'OCT MMIC à très faible bruit de phase pour applications automobiles et télécommunications

2006

Gourdon Cyril

XLIM

Sciences de l'ingénieur

Le travail présenté dans ce mémoire concerne les oscillateurs hyperfréquences contrôlés en tension et réalisés en technologie MMIC. Ils sont utilisés dans les radars automobiles et dans des applications de télécommunications. Après la présentation des deux domaines d'utilisation des oscillateurs, no ...

Ajouter à mon panier

Accéder au document

Développement de modèles de CAO pour la simulation système des systèmes de communication : application aux communications chaotiques

2006

Layec Alan

Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes

Sciences de l'ingénieur

Cette thèse concerne la modélisation et la simulation de chaînes de communication dans un environnement de simulation système. Une première partie détaille les modèles de CAO d'éléments constituant les chaînes de transmission numériques ainsi que des principes de simulation permettant l'évaluation d ...

Ajouter à mon panier

Accéder au document