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Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω

Caractérisation des effets parasites dans les HEMTs GaN : développement d'un banc de mesure 3ω Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2014
auteur : Avcu Mustafa
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce document porte sur le développement d’un nouveau banc de mesure pour la caractérisation de l’impédance thermique des HEMTs GaN. Le banc développé repose sur la méthode dite « 3ω » qui consiste à mesurer l’harmonique 3 d’un signal électrique véritable image des variations thermiques...
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Caractérisation et modélisation de transistors HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN pour l'amplification de puissance en radio-fréquences

Caractérisation et modélisation de transistors HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN pour l'amplification de puissance en radio-fréquences Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : Callet Guillaume
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce document traite de la caractérisation de composants HEMT à base de GaN en vue de leur modélisation. Une caractérisation exhaustive des transistors à base d'InalN/GaN et AlGaN/GaN est réalisée. Une importance particulière est donnée aux méthodes de caractérisation thermique, avec...
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Développement et validation d'un banc de caractérisation de transistors de puissance en mode temporel impulsionnel

Développement et validation d'un banc de caractérisation de transistors de puissance en mode temporel impulsionnel Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2010
auteur : Faraj Jad
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux traitent de la mesure de formes d'ondes temporelles en mode continu et en impulsions, avec comme application la caractérisation des transistors de puissance aux fréquences micro-ondes. Un banc de mesure a été développé autour du Nonlinear Vector Network Analyzer. La...
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Contribution au développement de nouveaux instruments pour la modélisation des transistors hautes fréquences

Contribution au développement de nouveaux instruments pour la modélisation des transistors hautes fréquences Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2010
auteur : Jaafar-Belhouji Maissa
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux portent sur le développement et l'automatisation d'un banc de mesure permettant la caractérisation des niveaux profonds dans les transitors. Tout d'abord, une série de caractérisations statiques et dynamiques a été réalisée afin de déterminer les limites de fonctionnement et...
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Contribution à la modélisation des transistors pour l'amplification de puissance aux fréquences microondes : développement d'un nouveau modèle électrothermique de HEMT AlGaN/GaN incluant les effets de pièges

Contribution à la modélisation des transistors pour l'amplification de puissance aux fréquences microondes : développement d'un nouveau modèle électrothermique de HEMT AlGaN/GaN incluant les effets de pièges Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2008
auteur : Jardel Olivier
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce document traîte de la modélisation de transistors de puissance microondes TBH InGaP/AsGa et HEMTs AlGaN/GaN pour des applications en bande X. Les HEMTs AlGaN/GaN ont été commercialisés récemment et il y a par conséquent un besoin de modèles précis permettant de décrire leurs...
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Mesures de formes d'ondes temporelles en impulsions : application à la caractérisation de transistors micro-ondes de forte puissance

Mesures de formes d'ondes temporelles en impulsions : application à la caractérisation de transistors micro-ondes de forte puissance Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2007
auteur : De Groote Fabien
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ces travaux traitent de la mesure de formes d'ondes temporelles en mode continu et en impulsions, avec comme application la caractérisation des transistors de puissance aux fréquences micro-ondes. Un banc de mesure a été développé autour du Large Signal Network Analyser. Une...
???menu.result.tef.distinction??? : Prix de l'Entrepreneuriat Jean-Claude Cassaing - 2008
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Caractérisation et modélisation électrothermique non linéaire de transistors à effet de champ GaN pour l'amplification de puissance micro-onde

Caractérisation et modélisation électrothermique non linéaire de transistors à effet de champ GaN pour l'amplification de puissance micro-onde Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2005
auteur : Charbonniaud Christophe
laboratoire : Institut de Recherche en Communications Optiques et Microondes
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : L'objectif de cette étude est d'évaluer les potentialités des transistors HEMTs AlGaN/GaN pour l'amplification de puissance aux fréquences micro-ondes, à l'aide d'un banc de mesures I(V) et paramètres [S] en régime impulsionnel, et de proposer un modèle précis de ce type de transistors...
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