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Thèses de doctorat
Par directeur de thèse
B
Bouysse Philippe
Par directeur de thèse
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Voici les résultats
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année de soutenance
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Dispositifs intégrés à très haute efficacité pour la gestion de l’énergie dans les émetteurs de télécommunications de 5ème génération (5G)
Dispositifs intégrés à très haute efficacité pour la gestion de l’énergie dans les émetteurs de télécommunications de 5ème génération (5G)
date
année de soutenance
:
2022
author
auteur
:
Joao Kelson Henrique
labo
laboratoire
:
XLIM
thematic
thème
:
Sciences de l'ingénieur
description
Description
:
Les systèmes de télécommunications mobiles 5G sont structurés autour d’une architecture antennaire dite massive MIMO (Multiple Input Multiple Output), qui permet de connecter simultanément plusieurs utilisateurs avec à priori une meilleure qualité de connexion et une optimisation de l’énergie rayonn ...
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https://www.theses.fr/2022LIMO0124/abes
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-03945881
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Fonction normally-on, normally-off compatible de la technologie HEMT GaN pour des applications de puissance, hyperfréquences
Fonction normally-on, normally-off compatible de la technologie HEMT GaN pour des applications de puissance, hyperfréquences
date
année de soutenance
:
2018
author
auteur
:
Trinh Xuan Linh
labo
laboratoire
:
XLIM
thematic
thème
:
Sciences de l'ingénieur
description
Description
:
Ce document présente les travaux de thèse ayant pour objet la recherche et développement d’une technologie co-intégrée HEMT GaN normale-on/normally-off compatible avec les matériaux et procédés technologiques de la technologie normally-on hyperfréquence. Un exposé théorique et une revue de l’état de ...
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https://www.theses.fr/2018LIMO0106/abes
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-02056773
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High efficiency S-Band vector power modulator design using GaN technology
High efficiency S-Band vector power modulator design using GaN technology
date
année de soutenance
:
2018
author
auteur
:
Dasgupta Abhijeet
labo
laboratoire
:
XLIM
thematic
thème
:
Sciences de l'ingénieur
description
Description
:
L’évolution des systèmes de télécommunications, liée à une demande sans cesse croissante en termes de débit et de volume de données, se concrétise par le développement de systèmes proposant des bandes passantes très larges, des modulations à très hautes efficacités spectrales, de la flexibilité en p ...
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https://www.theses.fr/2018LIMO0021/abes
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01810140
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Nouvelle architecture d’amplificateur de puissance fonctionnant en commutation
Nouvelle architecture d’amplificateur de puissance fonctionnant en commutation
date
année de soutenance
:
2017
author
auteur
:
Disserand Anthony
labo
laboratoire
:
XLIM
thematic
thème
:
Sciences de l'ingénieur
description
Description
:
L’essor et l’évolution des systèmes de télécommunication sont liés inéluctablement à la montée en fréquence et à l’augmentation des bandes passantes des futurs systèmes d’une part, et à une place sans cesse croissante prise par l’électronique numérique dans les chaînes d’émission/réception d’autre p ...
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https://www.theses.fr/2017LIMO0107/abes
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01740302
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Polarisation dynamique de drain et de grille d’un amplificateur RF GaN appliquée à un fonctionnement RF impulsionnel à plusieurs niveaux
Polarisation dynamique de drain et de grille d’un amplificateur RF GaN appliquée à un fonctionnement RF impulsionnel à plusieurs niveaux
date
année de soutenance
:
2015
author
auteur
:
Delias Arnaud
labo
laboratoire
:
XLIM
thematic
thème
:
Sciences de l'ingénieur
description
Description
:
Les systèmes de transmission de l’information sans fil connaissent un essor considérable et sont intégrés dans la plupart des systèmes électroniques modernes. De manière plus spécifique, la consommation énergétique de la fonction amplification de puissance RF, qui constitue le cœur de ce travail de ...
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https://www.theses.fr/2015LIMO0109/abes
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01278361
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Amplification de puissance linéaire à haut rendement en technologie GaN intégrant un contrôle de polarisation de grille
Amplification de puissance linéaire à haut rendement en technologie GaN intégrant un contrôle de polarisation de grille
date
année de soutenance
:
2014
author
auteur
:
Medrel Pierre
labo
laboratoire
:
XLIM
thematic
thème
:
Sciences de l'ingénieur
description
Description
:
Cette thèse s’inscrit dans le domaine de l’amplification de puissance microonde linéaire et haut rendement en technologie GaN. Le premier chapitre décrit le contexte général de l’émission de signaux microondes de puissance pour les télécommunications sans fil, avec un focus particulier apporté sur l ...
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https://www.theses.fr/2014LIMO0006/abes
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-01089653
title
Alimentations de puissance agiles en technologie GaN pour l’amplification de puissance RF
Alimentations de puissance agiles en technologie GaN pour l’amplification de puissance RF
date
année de soutenance
:
2014
author
auteur
:
Augeau Patrick
labo
laboratoire
:
XLIM
thematic
thème
:
Technologie (Sciences appliquées)
description
Description
:
Dans un système de télécommunications, l’amplificateur de puissance à l’émission est le dispositif présentant les pertes énergétiques les plus importantes. Il s’avère nécessaire de mettre en oeuvre des techniques d’amélioration de son rendement. La gestion dynamique de polarisation (envelope trackin ...
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Étude des classes de fonctionnement à haut rendement pour l'amplification de puissance en hyperfréquence en utilisant la technologie HEMT à base de nitrure de gallium
Étude des classes de fonctionnement à haut rendement pour l'amplification de puissance en hyperfréquence en utilisant la technologie HEMT à base de nitrure de gallium
date
année de soutenance
:
2012
author
auteur
:
Dufraisse Jérémy
labo
laboratoire
:
XLIM
thematic
thème
:
Sciences de l'ingénieur
description
Description
:
Ce rapport traite de l'étude de classes de fonctionnement pour améliorer le ren-dement en puissance d'amplificateurs à base de HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN fonctionnant autour de 2 GHz. L'analyse des caractéristiques électriques des HEMT à base de GaN présente l'impact de plaques de champ et de la di ...
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Amplification de puissance à haut rendement en bande L et en technologie GaN intégrant une pré formation de la tension de commande d'entrée
Amplification de puissance à haut rendement en bande L et en technologie GaN intégrant une pré formation de la tension de commande d'entrée
date
année de soutenance
:
2010
author
auteur
:
Ramadan Alaaeddine
labo
laboratoire
:
XLIM
thematic
thème
:
Sciences de l'ingénieur
description
Description
:
La technologie de semi-conducteurs de puissance GAN est en pleine phase de développement à l'heure actuelle et offre de réelles potentialités pour la génération de fortes puissances à l'état solide en hyperfréquence. Le sujet de thèse concerne donc l'étude de l'amplification de puissance en commutat ...
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Optimisation du rendement d'amplificateurs de puissance sous contraintes de linéarité en présence de modulations numériques complexes
Optimisation du rendement d'amplificateurs de puissance sous contraintes de linéarité en présence de modulations numériques complexes
date
année de soutenance
:
2008
author
auteur
:
Bacqué Ludovic
labo
laboratoire
:
XLIM
thematic
thème
:
Sciences de l'ingénieur
description
Description
:
Dans un souci de réduction de la consommation des équipements de télécommunications, les concepteurs de systèmes et de sous ensembles recherchent des solutions innovantes. Pour les modules d'émission, une grande partie de cette consommation est issue des cellules amplificatrices. Dans la littérature ...
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