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Mesures et modélisations multi-physiques des dispositifs GaN pour la co-intégration SiP en technologie FOWLP

Mesures et modélisations multi-physiques des dispositifs GaN pour la co-intégration SiP en technologie FOWLP Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2024
auteur : Kakou Luc Arnaud N'Doua
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Cette thèse, en lien avec le projet SMART3 du plan nano 2022, a pour but d’évaluer et de développer de nouvelles technologies de packaging 2D et 3D pour répondre à l’intégration hétérogène de différentes technologies de semi-conducteurs (GaN, AsGa, Si, …) afin de concevoir des systèmes entièrement i ...
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Caractérisation de transistors HEMT en utilisant une méthode innovante de mesure de la linéarité

Caractérisation de transistors HEMT en utilisant une méthode innovante de mesure de la linéarité Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2024
auteur : Silva Dos Santos José Anderson
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : La linéarité des composants et circuits RF est un paramètre majeur de la qualité d’une liaison de télécommunications, notamment pour les applications de la 5G. Le but de mon travail est de proposer une technique de mesure sous pointe de la linéarité, adaptable sur un banc de load-pull grâce à l’util ...
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Développement d’un banc de mesure par thermoreflectance pour les composants de puissance

Développement d’un banc de mesure par thermoreflectance pour les composants de puissance Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2022
auteur : Jakani Anass
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : La forte demande de l'industrie électronique en termes de niveaux de puissance et de fréquences élevées a fortement encouragé le développement de la technologie des transistors HEMT en nitrure de gallium (GaN). Cependant, malgré les efforts accomplis sur d’optimisation thermique de ces composants pa ...
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Approche duale de modélisation TCAD et de caractérisations électriques approfondies pour la détermination de la signature et de la localisation des pièges dans les HEMT GaN sur substrat SiC

Approche duale de modélisation TCAD et de caractérisations électriques approfondies pour la détermination de la signature et de la localisation des pièges dans les HEMT GaN sur substrat SiC Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2020
auteur : Bouslama Mohamed
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les HEMT à base du GaN ont déjà démontré leur potentialité pour toutes les applications forte puissance et haute fréquence. Cependant, cette technologie souffre de limitations dues notamment à un mécanisme complexe de piégeage/dépiégeage de charges qui se produit dans le composant et reste encore au ...
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Physics-based TCAD device simulations and measurements of GaN HEMT technology for RF power amplifier applications

Physics-based TCAD device simulations and measurements of GaN HEMT technology for RF power amplifier applications Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2017
auteur : Subramani Nandha kumar
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Depuis plusieurs années, la technologie de transistors à effet de champ à haute mobilité (HEMT) sur Nitrure de Gallium (GaN) a démontré un potentiel très important pour la montée en puissance et en fréquence des dispositifs. Malheureusement, la présence des effets parasites dégrade les performances ...
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Caractérisation basse fréquence et simulation physique de transistors bipolaires hétérojonction en vue de l'analyse du bruit GR assisté par pièges

Caractérisation basse fréquence et simulation physique de transistors bipolaires hétérojonction en vue de l'analyse du bruit GR assisté par pièges Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2016
auteur : Al Hajjar Ahmad
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce travail présente le développement d’un banc de mesure thermique, pour la mesure : de réseaux I (V), d’impédance basse fréquence et de bruit basse fréquence des composants semi-conducteurs. Le banc de mesure de bruit BF est composé d’un amplificateur de tension faible bruit, d’un amplificateur tra ...
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Simulation physique du bruit basse fréquence stationnaire, dans les composants semi-conducteurs

Simulation physique du bruit basse fréquence stationnaire, dans les composants semi-conducteurs Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2012
auteur : Abdel Hadi Khaled
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce mémoire est consacré à la conception des deux méthodologies générales et robustes de simulation du bruit de génération-recombinaison assisté par piège dans des composants semi-conducteurs « réels ». Ce mémoire commence par des rappels sur les origines de bruit BF. Une présentation globale des mét ...
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Conception d'un circuit oscillateur MMIC à 2 OCT commutés large bande à faible bruit de phase pour applications spatiales

Conception d'un circuit oscillateur MMIC à 2 OCT commutés large bande à faible bruit de phase pour applications spatiales Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : Chamaa Nazem
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce mémoire est consacré à la conception d'un circuit OCT MMIC à large bande d'accord et à faible bruit de phase utilisant un TBH InGaP/GaAs pour les applications spatiales. Le premier chapitre décrit le modèle non linéaire du transistor utilisé pour la conception du circuit et les mesures effectuées ...
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Etude et réalisation d'un oscillateur bande X, contrôlé en tension, à varactor MEMS, pour application spatiale

Etude et réalisation d'un oscillateur bande X, contrôlé en tension, à varactor MEMS, pour application spatiale Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2009
auteur : Dupouy Emmanuel
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce mémoire est consacré à l'étude et à la réalisation d'un oscillateur contrôlé en tension (OCT) à 10 GHz. Ce travail permet d'étudier la faisabilité d'un OCT utilisant des varactors MEMS pour accorder la fréquence d'oscillation. Le premier chapitre de ce mémoire montre les méthodes d'analyse de l'o ...
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Simulation en bruit et conception d'OCT MMIC à très faible bruit de phase pour applications automobiles et télécommunications

Simulation en bruit et conception d'OCT MMIC à très faible bruit de phase pour applications automobiles et télécommunications Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2006
auteur : Gourdon Cyril
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Le travail présenté dans ce mémoire concerne les oscillateurs hyperfréquences contrôlés en tension et réalisés en technologie MMIC. Ils sont utilisés dans les radars automobiles et dans des applications de télécommunications. Après la présentation des deux domaines d'utilisation des oscillateurs, no ...
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