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Développement d'un banc de load-pull actif innovant, utilisant un signal multi-tons large bande pour la mesure de la linéarité (EVM, NPR, ACPR) des dispositifs actifs

Développement d'un banc de load-pull actif innovant, utilisant un signal multi-tons large bande pour la mesure de la linéarité (EVM, NPR, ACPR) des dispositifs actifs Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2019
auteur : Gillet Vincent
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Cette thèse présente l’utilisation innovante du signal Unequally Spaced Multi-Tones (USMT) dans la mesure de linéarité des transmetteurs de télécommunications (5G). Ce signal offre une nouvelle perspective permettant la caractérisation des formes d’ondes réelles en utilisant un signal avec un nombre ...

Contribution à la modélisation de transistors GaN et à la conception d’architectures innovantes d’amplificateurs de puissance à rendement amélioré pour modules d’émission-réception aéroportés

Contribution à la modélisation de transistors GaN et à la conception d’architectures innovantes d’amplificateurs de puissance à rendement amélioré pour modules d’émission-réception aéroportés Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2019
auteur : Couvidat Julien
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les transistors à base de nitrure de gallium (GaN) ont, de par leurs propriétés physiques, des performances inégalables par les technologies classiques à base de silicium pour l’amplification de puissance hyperfréquence. Cependant, cette technologie souffre d’effets mémoires basses fréquences inhére ...

Fonction normally-on, normally-off compatible de la technologie HEMT GaN pour des applications de puissance, hyperfréquences

Fonction normally-on, normally-off compatible de la technologie HEMT GaN pour des applications de puissance, hyperfréquences Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2018
auteur : Trinh Xuan Linh
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce document présente les travaux de thèse ayant pour objet la recherche et développement d’une technologie co-intégrée HEMT GaN normale-on/normally-off compatible avec les matériaux et procédés technologiques de la technologie normally-on hyperfréquence. Un exposé théorique et une revue de l’état de ...

Modélisation multi-ports des transistors hyperfréquences

Modélisation multi-ports des transistors hyperfréquences Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2018
auteur : Khelifi Wafa
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce document traite de la caractérisation et la modélisation des transistors multi-ports. Une caractérisation des transistors pHEMT à base de l'AsGa est réalisée. Une importance particulière est donné aux méthodes de caractérisation RF sous pointes. En effet, une étude sur les méthodes d’épluchage es ...

Réalisation d’une plate-forme pour l’optimisation de réseaux de capteurs sans fil appliqués au bâtiment intelligent

Réalisation d’une plate-forme pour l’optimisation de réseaux de capteurs sans fil appliqués au bâtiment intelligent Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2018
auteur : Itoua Engoti Frank
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : La thèse porte sur le déploiement d'un réseau de capteurs pour le diagnostic énergétique d'un bâtiment universitaire. Elle s'inscrit dans la thématique Bâtiment intelligent et durable de l'Université de Limoges. Il s'agit au cours de cette thèse, dans un premier temps, d'optimiser l'architecture d'u ...

Contribution à la compréhension des mécanismes expliquant et limitant la linéarité des technologies à base de HEMT Nitrure de Gallium (GaN)

Contribution à la compréhension des mécanismes expliquant et limitant la linéarité des technologies à base de HEMT Nitrure de Gallium (GaN) Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2017
auteur : Kahil Si Abed Karim
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les travaux de thèse visent à optimiser la linéarité des HEMT GaN et intervenir dans la mise en oeuvre d’un banc load-pull multi-tons (MTLP). L’optimisation repose sur la simulation électrique d’un modèle du transistor et la quantification des effets des non-linéarités du modèle, les effets des para ...
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Nouvelle architecture d’amplificateur de puissance fonctionnant en commutation

Nouvelle architecture d’amplificateur de puissance fonctionnant en commutation Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2017
auteur : Disserand Anthony
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : L’essor et l’évolution des systèmes de télécommunication sont liés inéluctablement à la montée en fréquence et à l’augmentation des bandes passantes des futurs systèmes d’une part, et à une place sans cesse croissante prise par l’électronique numérique dans les chaînes d’émission/réception d’autre p ...

Trapping and Reliability investigations in GaN-based HEMTs

Trapping and Reliability investigations in GaN-based HEMTs Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2016
auteur : Benvegnù Agostino
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMTs) en nitrure de gallium (GaN) s’affirment comme les candidats prometteurs pour les futurs équipements à micro-ondes - tels que les amplificateurs de puissance à état solide (SSPA), grâce à leurs excellentes performances. Une première démonstration d ...

Alimentations de puissance agiles en technologie GaN pour l’amplification de puissance RF

Alimentations de puissance agiles en technologie GaN pour l’amplification de puissance RF Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2014
auteur : Augeau Patrick
laboratoire : XLIM
thème : Technologie (Sciences appliquées)
Description : Dans un système de télécommunications, l’amplificateur de puissance à l’émission est le dispositif présentant les pertes énergétiques les plus importantes. Il s’avère nécessaire de mettre en oeuvre des techniques d’amélioration de son rendement. La gestion dynamique de polarisation (envelope trackin ...
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Étude des classes de fonctionnement à haut rendement pour l'amplification de puissance en hyperfréquence en utilisant la technologie HEMT à base de nitrure de gallium

Étude des classes de fonctionnement à haut rendement pour l'amplification de puissance en hyperfréquence en utilisant la technologie HEMT à base de nitrure de gallium Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2012
auteur : Dufraisse Jérémy
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce rapport traite de l'étude de classes de fonctionnement pour améliorer le ren-dement en puissance d'amplificateurs à base de HEMT AlGaN/GaN et InAlN/GaN fonctionnant autour de 2 GHz. L'analyse des caractéristiques électriques des HEMT à base de GaN présente l'impact de plaques de champ et de la di ...
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