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Développement d'un banc de load-pull actif innovant, utilisant un signal multi-tons large bande pour la mesure de la linéarité (EVM, NPR, ACPR) des dispositifs actifs

Développement d'un banc de load-pull actif innovant, utilisant un signal multi-tons large bande pour la mesure de la linéarité (EVM, NPR, ACPR) des dispositifs actifs Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2019
auteur : Gillet Vincent
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Cette thèse présente l’utilisation innovante du signal Unequally Spaced Multi-Tones (USMT) dans la mesure de linéarité des transmetteurs de télécommunications (5G). Ce signal offre une nouvelle perspective permettant la caractérisation des formes d’ondes réelles en utilisant un signal avec un nombre ...

Caractérisation et Modélisation de structures MASMOS en vue de la conception d'un amplificateur de puissance pour la LTE

Caractérisation et Modélisation de structures MASMOS en vue de la conception d'un amplificateur de puissance pour la LTE Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2018
auteur : Simbelie Frédérique
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Le principal objectif de ce travail est la caractérisation et la modélisation d’un nouveau composant le MASMOS conçu et breveté par la société ACCO. Cette nouvelle structure répond au problème des faibles tensions de claquage inhérent à la technologie CMOS. Le premier chapitre décrit les deux transi ...

Caractérisation basse fréquence et simulation physique de transistors bipolaires hétérojonction en vue de l'analyse du bruit GR assisté par pièges

Caractérisation basse fréquence et simulation physique de transistors bipolaires hétérojonction en vue de l'analyse du bruit GR assisté par pièges Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2016
auteur : Al Hajjar Ahmad
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce travail présente le développement d’un banc de mesure thermique, pour la mesure : de réseaux I (V), d’impédance basse fréquence et de bruit basse fréquence des composants semi-conducteurs. Le banc de mesure de bruit BF est composé d’un amplificateur de tension faible bruit, d’un amplificateur tra ...

Conception d'un circuit oscillateur MMIC à 2 OCT commutés large bande à faible bruit de phase pour applications spatiales

Conception d'un circuit oscillateur MMIC à 2 OCT commutés large bande à faible bruit de phase pour applications spatiales Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2011
auteur : Chamaa Nazem
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce mémoire est consacré à la conception d'un circuit OCT MMIC à large bande d'accord et à faible bruit de phase utilisant un TBH InGaP/GaAs pour les applications spatiales. Le premier chapitre décrit le modèle non linéaire du transistor utilisé pour la conception du circuit et les mesures effectuées ...
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Etude et réalisation d'un oscillateur bande X, contrôlé en tension, à varactor MEMS, pour application spatiale

Etude et réalisation d'un oscillateur bande X, contrôlé en tension, à varactor MEMS, pour application spatiale Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2009
auteur : Dupouy Emmanuel
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce mémoire est consacré à l'étude et à la réalisation d'un oscillateur contrôlé en tension (OCT) à 10 GHz. Ce travail permet d'étudier la faisabilité d'un OCT utilisant des varactors MEMS pour accorder la fréquence d'oscillation. Le premier chapitre de ce mémoire montre les méthodes d'analyse de l'o ...
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Caractérisation expérimentale et modélisation cyclostationnaire des sources de bruit BF dans les composants semiconducteurs pour la CAO des circuits MMIC non linéaires

Caractérisation expérimentale et modélisation cyclostationnaire des sources de bruit BF dans les composants semiconducteurs pour la CAO des circuits MMIC non linéaires Droits d'accès : non autorisé
année de soutenance : 2008
auteur : Souza Antonio Augusto Lisboa de
laboratoire : XLIM
thème : Sciences de l'ingénieur
Description : Ce travail concerne le développement de moyens de caractérisation expérimentale du bruit BF des composants semiconducteurs. Pour pouvoir extraire les sources de bruit en courant équivalentes aux accès du transistor lorsque celui-ci est soumis à un fort courant DC, nous proposons une méthode basée su ...
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