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Elaboration par coulage en bande et étude d'une cellule SOFC fonctionnant à 700°C
Elaboration par coulage en bande et étude d'une cellule SOFC fonctionnant à 700°C
année de soutenance
:
2008
auteur
:
Bonhomme Claire
laboratoire
:
Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface
thème
:
Sciences de l'ingénieur
Description
:
Les travaux réalisés au cours de la thèse ont permis d'élaborer, par coulage en bande et co-frittage, une cellule SOFC plane fonctionnant à température intermédiaire (700°C). La cellule est constituée des matériaux d'électrolyte (apatite La₉Sr₁Si₆O₂₆,₅), de cathode (composite apatite/pérovskite La₀, ...
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L'aide au développement aide-t-elle au développement ? : Le cas de l'Afrique Sub-Saharienne
L'aide au développement aide-t-elle au développement ? : Le cas de l'Afrique Sub-Saharienne
année de soutenance
:
2008
auteur
:
Amewoa Agbessi Komla
laboratoire
:
Laboratoire d'Analyse et de Prospective Economiques
thème
:
Economie
Description
:
L'aide vise à promouvoir la croissance économique dans les pays en développement pour éradiquer la pauvreté. L'Afrique sub-saharienne en est la principale région bénéficiaire. Elle est également la région où la pauvreté augmente le plus. Pour élucider ce paradoxe, une étude empirique de l'efficacité ...
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Modélisation rapide du traitement de poudres en projection par plasma d'arc
Modélisation rapide du traitement de poudres en projection par plasma d'arc
année de soutenance
:
2008
auteur
:
Ben Ettouil Fadhel
laboratoire
:
Science des Procédés Céramiques et de Traitements de Surface
thème
:
Technologie (Sciences appliquées), Sciences de l'ingénieur
Description
:
Ce travail est consacré à la modélisation rapide du procédé de déposition par projection thermique en plasma d'arc soufflé. Il est plus particulièrement consacré au traitement d'une particule isolée ou d'un lot de particules échantillon représentatif d'une poudre. Le procédé de projection par plasma ...
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Contribution à la modélisation des transistors pour l'amplification de puissance aux fréquences microondes : développement d'un nouveau modèle électrothermique de HEMT AlGaN/GaN incluant les effets de pièges
Contribution à la modélisation des transistors pour l'amplification de puissance aux fréquences microondes : développement d'un nouveau modèle électrothermique de HEMT AlGaN/GaN incluant les effets de pièges
année de soutenance
:
2008
auteur
:
Jardel Olivier
laboratoire
:
XLIM
thème
:
Sciences de l'ingénieur
Description
:
Ce document traîte de la modélisation de transistors de puissance microondes TBH InGaP/AsGa et HEMTs AlGaN/GaN pour des applications en bande X. Les HEMTs AlGaN/GaN ont été commercialisés récemment et il y a par conséquent un besoin de modèles précis permettant de décrire leurs caractéristiques élec ...
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Protection juridique de l'intégrité morale et développement durable : Le cas de Madagascar
Protection juridique de l'intégrité morale et développement durable : Le cas de Madagascar
année de soutenance
:
2008
auteur
:
Rafolisy Patrick Yves Nöel
laboratoire
:
Centre de Recherches sur l'Entreprise, les Organisations et le Patrimoine
thème
:
Droit
Description
:
Réussir le développement durable, un défi majeur pour la communauté internationale, nécessite un changement global de comportements. De nouvelles valeurs, autres que la paix et la liberté, méritent d'être universellement respectées. L'Intégrité morale se présente ainsi comme une des valeurs fondamen ...
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Caractérisation et modélisation des dynamiques non linéaires dans les dispositifs pour systèmes de télécommunications : cas de la PLL et de l'amplificateur de puissance
Caractérisation et modélisation des dynamiques non linéaires dans les dispositifs pour systèmes de télécommunications : cas de la PLL et de l'amplificateur de puissance
année de soutenance
:
2008
auteur
:
Madini-Zouine Zhour
laboratoire
:
XLIM
thème
:
Sciences de l'ingénieur
Description
:
Ce travail concerne principalement la caractérisation et la modélisation des dynamiques non linéaires pour systèmes de télécommunications et plus particulièrement les PLLs et les amplificateurs de puissance. Le premier objectif est de traiter les aspects de modélisation descendante de la PLL dans le ...
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Approche experimentale et numérique de la fissuration réflective des chaussées : de la chaussée instrumentée au laboratoire en passant par la modélisation
Approche experimentale et numérique de la fissuration réflective des chaussées : de la chaussée instrumentée au laboratoire en passant par la modélisation
année de soutenance
:
2008
auteur
:
Perez Romero Sergio Alejandro
laboratoire
:
Groupe d'Etudes des Matériaux Hétérogènes
thème
:
Sciences de l'ingénieur
Description
:
Dans le cadre de cette thèse on s'intéresse aux sollicitations mécaniques gouvernant les mécanismes de remontée de la fissuration à travers les couches de surface bitumineuses de chaussées. L'objet est de caractériser ces sollicitations afin de définir des protocoles de chargement pour piloter l'équ ...
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L' écriture et l'idéologie en Afrique noire : le cas du syllabaire vai
L' écriture et l'idéologie en Afrique noire : le cas du syllabaire vai
année de soutenance
:
2008
auteur
:
Condro Mlaili
laboratoire
:
Centre de Recherches Sémiotiques
thème
:
Langues et linguistique
Description
:
La question du rapport entre l'écriture et l'idéologie en Afrique noire ne peut échapper au discours du "grand partage culturel" entre sociétés avec écriture et sociétés sans écriture. En effet, ce grand partage, épistémologique aussi, lui impose un programme de lecture et un détour par une grammato ...
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Contribution à la modélisation non-linéaire de transistors de puissance HEMT pseudomorphiques sur substrat AsGa : analyse des effets parasites
Contribution à la modélisation non-linéaire de transistors de puissance HEMT pseudomorphiques sur substrat AsGa : analyse des effets parasites
année de soutenance
:
2008
auteur
:
Teyssandier Charles
laboratoire
:
XLIM
thème
:
Sciences de l'ingénieur
Description
:
Le principal objectif de ce travail est la modélisation précise d'une filière de transistor PHEMTs fabriquées à UMS. Notre modèle se base sur une démarche de caractérisation complète et il est facilement intégrable dans les simulateurs de circuit CAO afin de le rendre utilisable dans un contexte ind ...
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Relation entre p53 et STAT1 : étude de la réponse aux stress génotoxiques et des modèles cellulaires B immortalisés par le virus d'Epstein Barr
Relation entre p53 et STAT1 : étude de la réponse aux stress génotoxiques et des modèles cellulaires B immortalisés par le virus d'Epstein Barr
année de soutenance
:
2008
auteur
:
Youlyouz Ibtissam
laboratoire
:
Physiologie Moléculaire de la Réponse Immune et des Lymphoproliférations
thème
:
Médecine et santé
Description
:
STAT1 et p53 sont deux facteurs de transcription suppresseur de tumeur, impliqués dans la régulation de la mort cellulaire. L'EBV est le premier virus transformant identifié chez l'homme. Il est associé à de nombreux lymphomes. L'immortalisation des lymphocytes B par l'EBV implique la mise en jeu et ...
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